ТОВАРЫ

Особенности
КАС №: | 12039-88-2 |
Линейная формула: | ВСи2 |
Появление: | Голубовато-серое кристаллическое твердое вещество |
Чистота: | 99,5 процента |
Описание порошка дисилицида вольфрама
Силицид вольфрама (WSi2) — неорганическое соединение, силицид вольфрама. Это электропроводный керамический материал.
Порошок силицида вольфрама обычно сразу же доступен в большинстве объемов. Могут быть рассмотрены формы сверхвысокой чистоты, высокой чистоты, субмикронные и нанопорошки.
Силицид вольфрама используется в микроэлектронике в качестве контактного материала с удельным сопротивлением 60–80 мкОм·см; он формируется при 1000 градусов. Его часто используют в качестве шунта над поликремниевыми линиями для увеличения их проводимости и увеличения скорости передачи сигнала. Слои силицида вольфрама могут быть получены химическим осаждением из паровой фазы, например, с использованием моносилана или дихлорсилана с гексафторидом вольфрама в качестве исходных газов. Осажденная пленка не является-стехиометрической и требует отжига для преобразования в более проводящую стехиометрическую форму. Силицид вольфрама является заменой более ранним вольфрамовым пленкам. Силицид вольфрама также используется в качестве барьерного слоя между кремнием и другими металлами, например вольфрамом.
Силицид вольфрама также имеет ценность для использования в микроэлектромеханических системах, где он в основном применяется в виде тонких пленок для изготовления микросхем. Для таких целей пленки силицида вольфрама могут подвергаться плазменному -травлению с использованием, например, газообразного трифторида азота.
WSi2 хорошо зарекомендовал себя в качестве -стойких к окислению покрытий. В частности, по аналогии с дисилицидом молибдена, MoSi2, высокая излучательная способность дисилицида вольфрама делает этот материал привлекательным для высокотемпературного радиационного охлаждения с применением в теплозащитных экранах.
Применение порошка дисилицида вольфрама и смежные отрасли
● Материал контактов в микроэлектронике
● Шунтируйте линии из поликремния, чтобы увеличить их проводимость и увеличить скорость передачи сигнала.
● Химическое осаждение из паровой фазы
● Замена более ранних вольфрамовых пленок
● Барьерный слой между кремнием и другими металлами (например, вольфрамом)
● Микроэлектромеханические системы
● Покрытия,-стойкие к окислению.
● Пленки с-плазменным травлением
● Исследования и лаборатории
● Материаловедение
● Осаждение тонкой пленки
● Покрытие
Химические идентификаторы
Линейная формула | ВСи2 |
Номер в леях | MFCD00049704 |
ЕС № | 234-909-0 |
Бейльштейн/Reaxys No. | N/A |
Pubchem CID | 16212546 |
Название ИЮПАК | бис (λ3-силанилидин) вольфрам |
УЛЫБКИ | [Si]#[W]#[Si] |
Идентификатор дюйма | ИнЧИ=1S/2Si.W |
Дюймовый ключ | WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N |
Свойства дисилицида вольфрама (теоретические)
Составная формула | Си2W |
Молекулярный вес | 240.01 |
Появление | Голубовато-серое кристаллическое твердое вещество |
Температура плавления | 2160 градусов |
Точка кипения | N/A |
Плотность | 9,3 г/см3 |
Растворимость в H2O | Нерастворимый |
Точная масса | 239.904786 |
Моноизотопная масса | 239.904786 |
горячая этикетка : порошок дисилицида вольфрама, Китай, поставщики, купить, продать, производство Китай
Вам также может понравиться
Отправить запрос
